[所属分类:半导体/微电子] [发布时间:2020/4/24] [发布人:admin] [阅读次数:] [返回]

在前道半导体制造中，在刻蚀和注入等工艺后去除光掩膜是一个重要且经常进行的步骤。根据器件的复杂程度，光刻的周期次数也从10次至25次不等。每个周期都需要一个去除光刻胶工艺。这个剥离光掩膜的过程可以使用干燥的、环保的等离子工艺（‘灰化’）。 PVA TePla是使用微波激励的批次式等离子光刻胶灰化机的市场领导者。微波批次等离子体技术具有高产能、成本低的特点。所需成本只是单晶圆灰化机的一小部分。微波激励的等离子体不会对栅氧化层产生任何损坏，和传统的射频等离子灰化机相比具有更高的灰化效率。


在半导体器件生产过程中，晶圆芯片表面会存在各种微粒、金属离子、有机物及残留的磨料颗粒等沾污杂质，为了避免污染物对芯处理性能造成致致命影响和缺陷，在保证不破坏芯处理及其他辅助材料表面特性、电特性的前提下，半导体晶圆在制造过程中，需要经过多次的表面清洗步骤，而晶圆光刻胶plasma等离子清洗机是晶圆级和3D封装应用的理想的干式清洗设备。


晶圆光刻蚀胶等离子清洗机的应用：
等离子应用包括预处理、灰化/光刻胶/聚合物剥离、晶圆凸点、消除静电、介电质刻蚀、有机污染去除、晶圆减压等。使用等离子清洗，不仅彻底去除光刻胶和其他有机物，而且活化和粗化晶圆表面，提高晶圆表面浸润性。


等离子清洗机外观简洁，高度集成化，该设备外观简洁、高度集成化，可应用在半导体、微纳电子、MEMS、PCB、 光学电子、光学制造、汽车电子、医疗产品、生命科学、食品行业等领域，可对各种材料的表面进行有机物去除、清洁、静电消除，化学修饰或涂层沉积。


晶圆光刻蚀胶等离子清洗机的清洗过程：


等离子清洗机清洗过程就是先将晶圆放入等离子清洗机的真空反应腔体内，然后抽取真空，达到一定真空度后通入反应气体，这些反应气体被电离形成等离子体与晶片表面发生化学和物理反应，生成可挥发性物质被抽走，使得晶圆表面变得清洁并具亲水性。整个清洗工艺流程几分钟内即可完成,等离子清洗需要控制的真空度约为100Pa，这种清洗条件很容易达到。因此这种装置的设备成本不高，加上清洗过程气固相干式反应，不消耗水资源，不需要使用价格较为昂贵的有机溶剂 ，这使得整体成本要低于传统的湿法清洗工艺。而且解决了湿法去除晶圆表面的光刻胶存在反应不能精准控制，清洗不彻底，容易引入杂质等缺点。


作为干法清洗等离子清洗机可控性强，一致性好，不仅彻底去除光刻胶有机物，而且还活化和粗化晶圆表面，提高晶圆表面浸润性


晶圆清洁 - 等离子清洗机用于在晶圆凸点工艺前去除污染，还可以去除有机污染、去除氟和其它卤素污染、去除金属和金属氧化。


晶圆刻蚀 - 等离子清洗机预处理晶圆的残留光刻胶和BCB，重新分配图形介电层，线条/光刻胶刻蚀，应用于晶圆材料的附着力增强，去除多余的塑封材料/环氧树脂，增强金焊料凸点的附着力，晶圆减压减少破碎，提高旋涂膜附着力，清洁铝焊盘。


等离子处理设备广泛应用于等离子清洗、等离子刻蚀、等离去胶、等离子涂覆、等离子灰化和等离子表面改性等场合。通过其等离子表面处理，能够改善材料表面的润湿能力，使多种材料能够进行涂覆、涂镀等操作，增强粘合力、键合力，同时去除有机污染物、氧化层、油污或油脂。


 等离子清洗机 / 等离子刻蚀机 / 等离子处理机 / 等离子去胶机/ 等离子灰化机 / 等离子表面处理系统


 等离子清洗 - 等离子刻蚀 - 等离子去胶 - 等离子活化- 等离子改性-等离子灰化


1.等离子表面活化/清洗    5.等离子涂镀（亲水，疏水）


2.等离子处理后粘合       6.增强邦定性


3.等离子蚀刻/活化        7.等离子涂覆


4.等离子去胶             8.等离子灰化和表面改性等场合