[所属分类:远程微波等离子刻蚀系统] [发布时间:2020/4/22] [发布人:admin] [阅读次数:] [返回]

WB5050是使用微波等离子体发生器的远程冷等离子体刻蚀系统。该设备适合于许多不同的应用，例如应力去除、特殊表面合理和晶圆减薄。该等离子清洗机的干法刻蚀作用是由下游腔室引导的活性等离子微粒（自由基）产生的纯化学反应。
　 WB5050微波等离子刻蚀机操作简便，易于手工装载和卸载。该工艺不需要任何额外的基体清洗。严格使用纯自由基进行表面处理。无电子和无离子工艺是成功处理NAND和DRAM等极端敏感的硅基体的关键因素。等离子体由位于工艺腔室顶部，距晶圆上方2.45 GHz的磁控管产生，可以处理所有尺寸的晶圆，包括8"和12" 的带框架的晶圆。
　 该等离子刻蚀设备适用于工艺开发和中试生产
>>产品特点：
    > 极低的基板热负荷，专为SU-8灰化及硅蚀刻进行了优化（如MEMS应用）
    > 可蚀刻或移除所有有机物质如SU-8，或其它环氧基物质
    > 速度快
    > 无有机残留物
    > 纯化学蚀刻：无离子损伤，各向同性
    > 无热冲击：仅依靠反应能量进行。对金属无损伤，如镍, 镍/铁, 金, 铜等
    > 对硅及硅化合物仅有极轻微损伤，如SiO2 或 Si3N4
    > 可进行高度比极大的蚀刻
    > 可剥离超厚光刻胶层（大于1mm）
    > 能同时对带有不同厚度光刻胶的基板进行蚀刻
    > 温度控制高达120℃
    > 基板尺寸可达 460mm x 460mm
    > 高蚀刻速率 在大面积上超过200um/h(批量9x6”晶圆) 并与厚度无关
    > 硬烘烤条件(HB)下蚀刻率与穿透性无关；
    > 非HB及200℃ HB的蚀刻率差别小于10%
    > 高度自动化，对每块基板可实现结束点检测
    > 高度符合环保要求


>> 相关应用
  -  MEMS

  -  半导体晶圆刻蚀